特許
J-GLOBAL ID：200903063511680295
半導体チツプの放熱実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185980
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029779
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 テープキャリアを介して回路基板に接続する半導体チップの放熱実装構造に関し、放熱をさらに良くするとともに半導体チップの上に補助の放熱体を付加する場合、半導体チップ及びリード接合部にストレスの生じないことを目的とする。【構成】 回路基板1は実装面に接地レベルの内層1aにまで届き半導体チップ10を入れるくぼみ穴1bを穿設し、該くぼみ穴の周辺を含む内面に前記内層に接続する第1のグランド導体1b-1を形成し、該くぼみ穴の第1のグランド導体に半導体チップを電極形成面を外側にしてダイボンディングするとともにテープキャリア3で回路接続するように構成する。
請求項（抜粋）：
回路基板(1) は実装面に接地レベルの内層(1a)にまで届き半導体チップ(10)を入れるくぼみ穴(1b)を穿設し、該くぼみ穴(1b)の周辺を含む内面に前記内層(1a)に接続する第1のグランド導体(1b-1)を形成し、該くぼみ穴(1b)の第1のグランド導体(1b-1)に半導体チップ(10)を電極形成面を外側にしてダイボンディングするとともにテープキャリア(3) で回路接続してなることを特徴とする半導体チップの放熱実装構造。
IPC (3件)：
H05K 7/20
, H01L 21/60 311
, H01L 23/34
