特許

J-GLOBAL ID：200903063534521127

シリコン基板表面の酸化法

発明者： 杉田 義博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-036294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252136
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板表面の酸化法に関し、シリコン基板上に気相からの照射損傷が少なく品質の良い酸化膜を形成する方法を提供する。【構成】 減圧もしくは常圧酸素雰囲気を満たしたチャンバー1の中に配置したシリコン基板5にX線を照射する工程を用いる。この場合、シリコン基板1に負電位を与えて成長速度を高めることができる。また、X線を限定した領域に照射してこの領域を選択的に酸化することができる。また、酸化膜を形成した後、400〜850°Cの温度範囲でアニーリングを行い酸化膜の膜質を改善することができる。また、シリコン基板またはX線源あるいはX線源から放射されるX線を反射する反射器を揺動させて、X線をシリコン基板表面の所定の範囲内に均一に照射することができる。また、X線をシリコン基板表面に斜め照射して照射面積を拡大することができる。

請求項（抜粋）：

減圧もしくは常圧酸素雰囲気中に配置したシリコン基板にX線を照射することを特徴とするシリコン基板表面の酸化法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/26