特許
J-GLOBAL ID：200903063535855240
半導体処理工程監視装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037958
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】プラズマ発光による反射光測定の影響を低減した、PR法に基づく半導体処理工程監視装置を得る。【構成】半導体試料2を設置したプラズマ装置1と、参照光出射光源3と、励起光光源4と、試料2からの反射光が入射する分光器6および光検出器7とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体のプラズマエッチングまたは半導体上に行う絶縁膜のプラズマデポジション処理工程中に、上記半導体表面に照射した光の反射光を測定することにより、上記処理工程を監視する半導体処理工程監視装置において、上記半導体表面に参照光を照射する光源と、上記参照光照射領域に励起光を照射する光源と、上記半導体表面からの反射光を分光する分光器および光検出器とを備えたことを特徴とする半導体処理工程監視装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
