特許
J-GLOBAL ID：200903063537926926
高周波端子付メタルパッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227949
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】 高周波端子およびそれを有するメタルパッケージの組立を容易にするとともに、加工上のばらつきに起因する損失を低減する。【構成】 基台1上には、半導体素子を搭載可能である。この搭載された半導体素子の側面と所定の距離を隔てて対向するように枠体13が基板11に取付けられている。枠体13を貫通するように、高周波端子10が設けられている。高周波端子10は基台1と導体3と駒体5とを有している。基台1は、主表面を有し、その主表面の一端が内側面から、他端が外側面から各々突出するように設けられている。導体3は、基台1の主表面の一端から他端へ延在するように形成されている。駒体5は導体3の中央部3b上に形成されている。この基台1と駒体5とは、セラミックス多孔体を含み、3.5以下の比誘電率を有している。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載可能な基板と、搭載された前記半導体素子の側面と所定の距離を隔てて対向するように前記基板に取付けられた枠部と、前記枠部の前記半導体素子側の内側面からその内側面の裏面となる外側面へ貫通して設けられた高周波端子とを備え、前記高周波端子は、主表面を有し、その主表面の一端が前記内側面から、他端が前記外側面から各々突出するように設けられた基台と、前記基台の主表面の前記一端から前記他端へ延在するように前記主表面上に形成された導電層と、前記導電層の両端部を露出し、その両端部にはさまれる中央部上を覆うように、前記基台の主表面上に形成された駒体とを有し、前記基台と前記駒体とは、セラミックス多孔体を含み、3.5以下の比誘電率を有している、高周波端子付メタルパッケージ。
IPC (4件)：
H01L 23/04
, H01B 3/00
, H01P 3/08
, H01P 5/08
H01L 23/04 F
, H01B 3/00
, H01P 3/08
, H01P 5/08 L
