特許

J-GLOBAL ID：200903063540355760

半導体装置の製造方法

発明者： 武藤 正樹 ,  守時 克典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138229
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349892
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 高密度で狭間隔な電極を有する半導体素子と半導体装置回路基板上の導体パターンとの接続を均一・安定に行なう半導体装置の製造方法の提供。【構成】 複数の半田で被覆された接続端子部8を備えた導体パターン7がある半導体装置回路基板6上に、前記複数の半田で被覆された接続端子部8に対応する複数の電極部4を表面に有する一つ以上の半導体素子基板2を、前記複数の半田で被覆された接続端子部8と前記複数の電極部4とが対向接触するように載置し、上に向いた前記半導体素子基板2の裏面に、加圧・加熱ツール7を当接し、加圧・加熱ツール7の加圧と加熱とを、前記半導体素子基板2を介して前記半田に加え、前記半田を融解して半田付けする。

請求項（抜粋）：

複数の半田で被覆された接続端子部を備えた導体パターンがある半導体装置回路基板上に、前記複数の半田で被覆された接続端子部に対応する複数の電極部を表面に有する一つ以上の半導体素子基板を、前記複数の半田で被覆された接続端子部と前記複数の電極部とが対向接触するように載置し、上に向いた前記半導体素子基板の裏面に、加圧・加熱ツールを当接し、加圧・加熱ツールの加圧と加熱とを、前記半導体素子基板を介して前記半田に加え、前記半田を融解して半田付けすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/321 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-280961
  
• 特開平4-338657
  
• 特開平4-171949
  
• 特開昭62-101040