特許
J-GLOBAL ID：200903063545979095
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024231
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226808
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜導体金属を有する回路基板のパターン形成方法において用いる,サイドエッチングのより少ない銅のエッチング液を提供する。【構成】 主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において,銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸-過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うように,また,エッチング液の重量比率が,硫酸10%±1%に対し過酸化水素水1%±0.1%であるように構成する。
請求項（抜粋）：
主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において,銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸-過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
