特許

J-GLOBAL ID：200903063545982720

レジストパターンの形成方法

発明者： 寒川 恒一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138254
公開番号（公開出願番号）：特開平10-333335
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いたレジストパターン形成のコストを低減させ、且つ形状の不安定も改善することを目的とする。【解決手段】 この発明は、化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって、シリコンウェハ1上に化学増幅型ポジ型レジスト21を形成し、このポジ型レジスト21上に化学増幅型ネガ型レジスト22を形成する。露光後、ネガ型レジスト22を現像した状態でレジスト表面をアルカリ成分で処理した後、ポジ型レジスト21を現像する。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって、ウェハ上に化学増幅型ポジ型レジストを形成し、このポジ型レジスト上に化学増幅型ネガ型レジストを形成し、露光後ネガ型レジストを現像した状態でレジスト表面をアルカリ成分で処理した後、ポジ型レジストを現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573