特許
J-GLOBAL ID：200903063546731135
薄膜製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016658
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214534
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 活性な水素原子或いは水素イオンを反応性ガスの分解エネルギー源の一部として活用するCVD法において、成膜速度が大きく且つ大面積基板上で膜厚分布と膜質分布が均一な薄膜を堆積し得る薄膜製造装置を提供すること。【構成】 CVD法によって被処理基板43上に薄膜を堆積する薄膜製造装置において、真空容器10内を2つの室30,40に仕切るように設置された水素貯蔵合金20と、この水素貯蔵合金20により仕切られた上側の水素吸蔵室30内に水素ガスを導入するガス導入口31と、水素貯蔵合金20により仕切られた下側の反応室内40に膜形成の原料となる原料ガスを導入するガス導入口41と、反応室40内に設置され、水素貯蔵合金20に被処理基板43を近接して対向配置させる試料台44と、水素貯蔵合金20の下部に設置され機械的に開閉されるシャッタ48とを具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
膜形成に供される原料ガスに対する分解エネルギー源として、水素貯蔵合金より合金表面或いは気相中へ放出される水素原子又は水素イオンを用い、被処理基板上に前記原料ガスに含まれる材料及び水素原子からなる薄膜を堆積することを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (2件)：
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