特許

J-GLOBAL ID：200903063547343767

光電変換装置および放射線撮像システム

発明者： 田代 和昭
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326340
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの能力を犠牲にすることなく、高いセンサ開口率を確保する。【解決手段】 同一基板上に少なくとも、半導体層からなる光電変換部を有する複数の光センサと、半導体層からなる活性層を有し複数の光センサに対応してそれぞれ設けられる複数のTFTと、を有する光電変換装置において、複数の光センサの半導体層105と複数のTFTの半導体層108とは同一の半導体層から形成され、各光センサは、少なくとも半導体層105の一部を共有化し、各TFTの半導体層108は少なくとも光センサの半導体層105とアイソレーションされている。

請求項（抜粋）：

同一基板上に少なくとも、第1の半導体層からなる光電変換部を有する複数の光電変換素子と、第2の半導体層からなる活性層を有し該複数の光電変換素子に対応してそれぞれ設けられる複数のスイッチング素子と、を有する光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の第1の半導体層と前記複数のスイッチング素子の第2の半導体層とは同一の半導体層から形成され、各光電変換素子は、少なくとも第1の半導体層の一部を共有化し、各スイッチング素子の第2の半導体層は光電変換素子の第1の半導体層とアイソレーションされていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (7件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (7件)：

G01T 1/20 E ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 31/00 A

Fターム (69件)：

2G088EE03 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB23 ,  4M118FB26 ,  4M118GA10 ,  4M118GB01 ,  4M118HA27 ,  5C024AX12 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024GX02 ,  5C024GX09 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5F088AA20 ,  5F088AB04 ,  5F088AB05 ,  5F088BA07 ,  5F088BB03 ,  5F088CB14 ,  5F088DA17 ,  5F088EA04 ,  5F088EA06 ,  5F088FA09 ,  5F088FA11 ,  5F088FA20 ,  5F088LA07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09