特許

J-GLOBAL ID：200903063547406432

結晶成長方法

発明者： 久保 高行 ,  小林 純夫 ,  宮原 俊二 ,  藤原 俊幸 ,  藤原 秀樹 ,  稲見 修一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-026261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024972
出願日： 1991年02月20日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】るつぼ11の周囲にメインヒータ22a及びサブヒータ22bを配設し、前記つぼ11内に充填された結晶用原料をメインヒータ22a及びサブヒータ22bを用いて全て溶融した後、その溶融液をるつぼ11底部より上方へ向けて凝固させて固体層18を形成する。そしてメインヒータ22a及びサブヒータ22bを用い、(fL0-fL)/fs =Ke が成り立つようにヒータのパワーを制御して固体層18を上側から溶融していき、固体層18上部に形成された溶融層17の溶融液を上方に引き上げて単結晶16を成長させる。このことによって引き上げ中の固体層18の溶融量は正確に制御され、単結晶16引き上げ時における溶融層17中の不純物濃度を一定に保つことができ、軸方向の電気抵抗率が一定である単結晶16を得ることができる。

請求項（抜粋）：

るつぼ内の結晶用原料の上部をヒータにより溶融させて上層に溶融層を、下層に固体層を形成し、引き上げに伴って前記固体層を前記ヒータにより溶融させて単結晶の引き上げを行なう結晶成長方法において、前記ヒータをメインヒータとサブヒータとから構成して前記メインヒータ及び前記サブヒータを配設し、単結晶引き上げ中に前記メインヒータ及び前記サブヒータを用いて前記固体層の溶融量を制御しつつ単結晶の引き上げを行なうことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B 15/14 ,  H01L 21/208