特許
J-GLOBAL ID：200903063547505341
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036713
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ島領域形成工程の不安定性を改善し、HBTの歩留まり向上と性能向上を図る。【構成】 p型GaAsベース層4上に薄層のN型InxGa1-xPエミッタ層5とN型AlyGa1-yAsエミッタ層6を形成し、選択エッチングによりN型AlyGa1-yAsエミッタ層6のエミッタ島領域を形成後、エミッタ島領域側面に絶縁膜103の側壁を形成する。次にN型InxGa1ーxPの選択エッチングを行って真性ベース領域の周辺近傍のベース層が、空乏化したN型InxGa1ーxPで覆われた構造を形成し、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下の少ない高性能なHBTを高い歩留まりで製造する。
請求項（抜粋）：
n型GaAsのコレクタ層上にp型GaAsのベース層が設けられ、前記ベース層上にN型の薄いInxGa1-xPとN型のAlyGa1ーyAsが順次形成されて成るエミッタ層が設けられた構造を少なくとも含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
