特許
J-GLOBAL ID:200903063550976576

レーザアブレーション加工法および多層配線構造体の製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-191866
公開番号(公開出願番号):特開平6-031478
出願日: 1992年07月20日
公開日(公表日): 1994年02月08日
要約:
【要約】【目的】 レーザアブレーション加工法とこの加工法を用いた多層配線構造体の製造方法に関し、レーザアブレーション加工による煤の発生を抑制する。【構成】 レーザ光22を照射することにより有機物材料膜13を局部的に分解除去するレーザアブレーション加工法において、この被加工有機物材料膜13の表面近傍を大気から遮断し、この遮断された領域内を水素ガス雰囲気にして被加工有機物材料13が分解して生じるプラズマを冷却することによって煤が生成されるのを抑制する。この際、被加工有機物材料の表面近傍を大気から遮断する構造物の少なくとも一部を、透明基板上に誘電体多層膜ミラーを選択的に形成した誘電体ミラーマスク16によって構成する。また、このレーザアブレーション加工法によって多層配線構造体の層間絶縁膜に層間接続用ビア穴を形成する。
請求項(抜粋):
レーザ光を照射することにより有機物材料を局部的に分解除去するレーザアブレーション加工法において、該加工有機物材料の表面近傍を大気から遮断し、該遮断された領域内を水素ガス雰囲気とすることを特徴とするレーザアブレーション加工法。
IPC (2件):
B23K 26/12 ,  H05K 3/46

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