特許

J-GLOBAL ID：200903063555419250

シリコン半導体単結晶基板の熱処理方法及び熱処理装置、半導体装置

発明者： 及川 三郎 ,  望月 康弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高崎 芳紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179964
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045946
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 大口径で厚いシリコンウエハの高温熱処理時の結晶欠陥の発生を防止し、かつ拡散層の均一性を保持する。【構成】 シリコンウエハに加わる熱応力が弾性変形を生じないような温度分布を保持できるように、高温になるほど昇温速度を小さく、かつ拡散層の均一性を保持できるように低温域の昇温速度を大きくする。【効果】 高温熱処理時のスリップライン、エッチピット転位等のプロセス誘起欠陥を防止し、かつ拡散層の均一性も保持できる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体単結晶基板を熱処理するための温度を、シリコン半導体単結晶基板内の熱応力が弾性変形を生じないような温度分布を保持できるように、高温になるほど昇温速度が小さくなるように制御することを特徴とするシリコン半導体単結晶基板の熱処理方法。