特許
J-GLOBAL ID:200903063556039477
半導体圧力センサ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安藤 淳二 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-049955
公開番号(公開出願番号):特開2000-249612
出願日: 1999年02月26日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 半田の熱収縮による台座の割れを防止し、信頼性の高い半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 ダイアフラム11を有する半導体基板1とダイアフラム11に圧力を導入するための圧力導入孔21が形成された台座2とを接合し、台座2をパッケージ3に固定してなる半導体圧力センサにおいて、台座2の半導体基板1との接合面とは逆側の面側の開口部近傍に筒状突部22を形成し、筒状突部22とパッケージ3のダイ31の圧力導入部の内壁34との間で嵌合構造22a、34aを形成し、両者の間に熱硬化物9を介在させた状態で嵌合構造22a、34aにより嵌合させ、熱硬化物9に熱を加えて硬化させることにより、台座2とパッケージ3を固定するようにした。
請求項(抜粋):
ダイアフラムを有する半導体基板と前記ダイアフラムに圧力を導入するための圧力導入孔が形成された台座とを接合し、該台座をパッケージに固定してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座の半導体基板との接合面とは逆側の面側の開口部近傍に筒状突部を形成し、該筒状突部と前記パッケージのダイの圧力導入部の内壁との間で嵌合構造を形成し、両者の間に熱硬化物を介在させた状態で前記嵌合構造により嵌合させ、前記熱硬化物に熱を加えて硬化させることにより、台座とパッケージを固定するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
Fターム (15件):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF49
, 2F055GG14
, 2F055GG25
, 2F055HH05
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA15
, 4M112DA18
, 4M112DA20
, 4M112GA01
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