特許

J-GLOBAL ID：200903063563587234

ITO焼結体

発明者： 小原 進彦 ,  白川 彰彦 ,  伊沢 広純
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-056503
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】 焼結体の相対密度を80%以上にするとともにそれによって造られる透明電導膜の抵抗も低くすることができるITO焼結体を提供する。【構成】 所定範囲内のWO3 およびBi2 O3 組成を含有するITO焼結体。

請求項（抜粋）：

ITO焼結体において、図1に示されるWO3 -Bi2 O3二成分系図における、点1、2、3、4、5および6であって、各々下記組成を示す点1〜6で囲まれるWO3 およびBi2 O3 組成を含有する焼結体よりなり、該焼結体の密度が理論密度に対する相対密度として80%以上であることを特徴とするITO焼結体。点1:WO3 =0.1wt%、Bi2 O3 =13.0wt%点2:WO3 =5.0wt%、Bi2 O3 =13.0wt%点3:WO3 =9.4wt%、Bi2 O3 =9.7wt%点4:WO3 =13.0wt%、Bi2 O3 =1.4wt%点5:WO3 =13.0wt%、Bi2 O3 =0.01wt%点6:WO3 =0.1wt%、Bi2 O3 =0.01wt%

IPC (2件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34