特許
J-GLOBAL ID：200903063565974405
半導体基材の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069175
出願日： 1985年04月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体基材を洗浄後の有機溶剤廃液から不純物を効率よく除去して洗浄液として再使用することを可能とした半導体基材の洗浄方法【構成】 半導体基材を水と共沸点を有する有機溶剤により洗浄する洗浄工程、該洗浄工程より排出される水、酸分、イオン性物質及びパーティクル等の不純物を含有する有機溶剤廃液を分離膜として陰イオン交換膜を使用したパーベーパレーション法により処理して水を除去する脱水工程、脱水工程より得られる処理液を蒸留し、留出液として精製された有機溶剤を得る蒸留工程及び蒸留工程より得られる精製された有機溶剤を前記半導体基材の洗浄工程に循環する循環工程よりなる。
請求項（抜粋）：
半導体基材を水と基準点を有する有機溶剤により洗浄する洗浄工程、該洗浄工程より排出される水、酸分、イオン性物質及びパーティクル等の不純物を含有する有機溶剤廃液を分離膜として陰イオン交換膜を使用したパーベーパレーション法により処理して水を除去する脱水工程、脱水工程より得られる処理液を蒸留し、留出液として精製された有機溶剤を得る蒸留工程及び蒸留工程より得られる精製された有機溶剤を前記半導体基材の洗浄工程に循環する循環工程よりなる半導体基材の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, B08B 3/14
