特許
J-GLOBAL ID：200903063572756855
歪みSOI基板ウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-141891
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349315
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】良質な歪みSi層を形成できる、より転位が少なく、かつ歪み緩和されたSiCエピタキシャル層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する方法を提供する。【解決手段】移設側基板11として高濃度ボロン添加P+型シリコン基板を用い、その表層に多孔質シリコン層12を形成する工程と、その表面にSiCエピタキシャル層13を形成する工程と、被移設側基板15としてシリコン基板を用い、少なくとも一方の基板の表層に酸化膜層14を形成する工程と、前記工程の後、前記被移設側基板と移設側基板とを酸化膜層を介して貼り合わせ、熱処理する工程と、前記貼り合わされた基板を分離し、被移設側基板のシリコン基板をエッチング処理して、露出したSiCエピタキシャル層13の表面上に、歪みシリコン層16を形成する工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化膜層、SiCエピタキシャル層、格子歪みを有するシリコン層がシリコン基板上に順次形成されている歪みSOI基板ウエハを、貼り合わせエッチバック法で製造する方法において、
移設側基板として高濃度ボロン添加P+型シリコン基板を用い、その表層に多孔質シリコン層を形成する工程と、
その表面にSiCエピタキシャル層を形成する工程と、
被移設側基板としてシリコン基板を用い、少なくとも一方の基板の表層に酸化膜層を形成する工程と、
前記工程の後、前記被移設側基板と移設側基板とを酸化膜層を介して貼り合わせ、熱処理する工程と、
前記貼り合わされた基板を分離し、被移設側基板のシリコン基板をエッチング処理して、露出したSiCエピタキシャル層の表面上に、歪みシリコン層を形成する工程と
を含むことを特徴とする歪みSOI基板ウエハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/76 D
5F032AA06
, 5F032AA09
, 5F032AA91
, 5F032CA05
, 5F032DA02
, 5F032DA13
, 5F032DA53
, 5F032DA67
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F032DA78
