特許

J-GLOBAL ID：200903063583948322

半導体装置の多結晶薄膜およびその製造方法

発明者： 中谷 喜紀 ,  田中 淳 ,  藤原 正弘 ,  大野 栄三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151170
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017730
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【構成】 固相成長前の非晶質薄膜の2層構造として、最上層は目的とする特性をもつ多結晶薄膜を得るための母材としての非晶質薄膜3を所定堆積温度条件で作成し、その下層は上層に比べて結晶核発生密度が高くなる堆積温度条件で非晶質薄膜2を絶縁層としてのガラス基板1と界面を接するように作成し、これら上層と下層の非晶質薄膜2,3に熱を加えてガラス基板1と非晶質薄膜2の界面から固相成長させて多結晶膜を得る。【効果】 結晶核の発生密度は下層となる非晶質薄膜2の堆積温度形成条件により制御し、固相成長後の多結晶薄膜の特性は上層の非晶質薄膜3の堆積温度条件により制御する。これにより、低温度下で目的とする良好な膜特性を有する多結晶薄膜を短時間で得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁層と第1の薄膜、および、第2の薄膜に比べて結晶核の発生密度の高い該第1の薄膜と第2の薄膜がそれぞれ界面を接するように設けられ、かつ該第1の薄膜および第2の薄膜が非晶質から多結晶化されている半導体装置の多結晶薄膜。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y