特許

J-GLOBAL ID：200903063584936310

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 廣山 良治 ,  野村 康彦 ,  古沢 浩太郎 ,  竹内 邦生 ,  岡本 重之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284545
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274513
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 レーザビームの高出力化を図った際においても、レーザビームの水平広がり角度が小さくなることを抑制し、しかもレーザビームの水平広がり角度の調整が容易である半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 リッジ部の側面と前記リッジ部の下部との為す傾斜角度θが70°以上、117°以下であり、p型クラッド層10はAlX1Ga1-X1Asからなり、第1電流ブロック層14はAlX2Ga1-X2Asからなり、発光層と第1電流ブロック層14との離間距離をtとした場合、t≦0.275/(1-(X2-X1))となり、リッジ部の下部幅Wが2μm以上、5μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に第1導電型のクラッド層、発光層、III族元素としてAlを含有する第2導電型のクラッド層が順に積層され、前記第2導電型のクラッド層にはリッジ部が形成され、前記第2導電型のクラッド層上の前記リッジ部の周りにIII族元素としてAlを含有する電流ブロック層が形成された半導体レーザ素子において、前記基板の上面に対する前記リッジ部の側面の傾斜角度θが70°以上、117°以下であり、前記第2導電型のクラッド層を構成するIII族元素中におけるAlの組成比をX1とし、前記電流ブロック層を構成するIII族元素中におけるAlの組成比をX2とし、前記発光層と前記電流ブロック層との離間距離をtした場合、t≦0.275/(1-(X2-X1))[μm]の関係を満たし、前記リッジ部の下部幅Wが2μm以上、5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (9件)：

5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA24 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007382   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006949   出願人：三洋電機株式会社