特許

J-GLOBAL ID：200903063591043045

ダイオード素子の製造方法

発明者： 田 尾 本 昭 ,  二 梃 木 克 洋 ,  南 部 太 郎
出願人/特許権者： 松下技研株式会社
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316710
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190877
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 有機半導体を利用した非対称構造を有し、動作が安定し、逆方向の耐電圧が高い高機能性ダイオード素子の製造方法を提供すること。【構成】 鉛フタロシアニン材料を、絶縁基板1の温度を最初は100°Cにして真空蒸着することにより、下部電極2側にトリクリニック型結晶5を形成し、次いで基板温度を室温に下げて真空蒸着することにより上部電極4側にモノクリニック型結晶6を形成し、厚さ方向に非対称構造をとる有機半導体薄膜3を絶縁基板1上に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に鉛フタロシアニンを基板温度を変えて真空蒸着することにより、厚さ方向に非対象構造をとる有機半導体薄膜を有するダイオード素子の製造方法。