特許

J-GLOBAL ID：200903063595116748

再成長界面の表面処理方法およびレーザダイオード

発明者： 後藤 修 ,  上田 孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107735
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303503
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体化合物の再成長界面としての表面に半導体化合物を再成長させる前に、その表面の清浄化を図る。【解決手段】 AlGaAs基板の表面にAlGaAsを再成長させる前に、そのAlGaAs基板の表面に対して、(a)水素アニールを行う処理(図1のx1、x2期間)と、(b)AsH3 アニールを行う処理(図1のy1、y2、yn期間)とを交互に複数回繰り返して施す。

請求項（抜粋）：

V族元素を含む化合物半導体の再成長界面の上に化合物半導体を再成長させる前に、(a)水素アニールを行う処理と、(b)前記V族元素を含むガスの雰囲気中でアニールを行う処理とを交互に複数回繰り返して行うことを特徴とする再成長界面の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/324 C