特許

J-GLOBAL ID：200903063606227881

半導体装置

発明者： 東谷 恵市
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325299
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177326
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 容量を有する半導体装置に関し、容量を有する半導体装置を製造する際に発塵を生ぜず、かつ、容量を十分に確保することができるように改良された容量を有する半導体装置を提供する。【構成】 本発明に従う容量を有する半導体装置100は、半導体基板101の表面上に形成された分離酸化膜102の表面102a上に形成された第1の電極103と、第1の電極103の表面103aと側面103bとを覆う絶縁膜104と、分離酸化膜102の領域内に形成され、かつ、分離酸化膜102の表面102a上に接触して、絶縁膜104を介在して、第1の電極103の領域を覆う第2の電極105とを備える。

請求項（抜粋）：

容量を有する半導体装置であって、半導体基板の表面上に形成された分離酸化膜の表面上に形成された第1の電極と、前記第1の電極の表面と側面とを覆う絶縁膜と、前記分離酸化膜の領域内に形成され、かつ、前記分離酸化膜の表面上に接触して、前記絶縁膜を介在して、前記第1の電極の領域を覆う第2の電極とを備える、半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-112358
  
• 特開昭58-204564
  
• 特開昭64-073656