特許
J-GLOBAL ID:200903063611510958

光学活性ルテニウムホスフィン錯体の製造方法及び該錯体を用いた光学活性アルコールの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 一雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-070220
公開番号(公開出願番号):特開2001-261689
出願日: 2000年03月14日
公開日(公表日): 2001年09月26日
要約:
【要約】【課題】 光学的に純粋な触媒を不斉活性化した時と同様の高い不斉収率の達成を可能とする新規な光学活性ルテニウムホスフィン錯体の製造方法を提供する。【解決手段】 RumXnLpAq;又は[RuX(D)(L)]X(式中、Xはハロゲン;Lは第三級ホスフィンの二座配位子化合物;Aはトリエチルアミン(Et3N)等;m,n,p及びqは整数;Dはベンゼン等。)で表されるルテニウムホスフィン錯体(Lは、ラセミ体である)に、特定の光学活性なキラルなジアミンを1/2等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化した後、次いで、特定の光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、次の一般式(1)【化3】(式中、L、Xは、前記と同義であり;*は、光学活性を意味する。)で表される光学活性ルテニウムホスフィン錯体(L*は、光学活性体である)の製造方法。
請求項(抜粋):
一般式(2)RumXnLpAq (2)(式中、Xは、ハロゲン原子であり;Lは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり;Aは、トリエチルアミン(Et3N)、又はジメチルホルムアミド(DMF)であり;m,n,p及びqは、整数であり;AがEt3Nのとき、mは2、nは4、pは2、qは1であり;AがDMFのとき、mは1、nは2、pは1、qは2乃至5である。)で表されるルテニウムホスフィン錯体(Lは、ラセミ体である);又は、一般式(3)[RuX(D)(L)]X (3)(式中、Xは、ハロゲン原子であり;Lは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり;Dは、ベンゼン、p-シメン、1,3,5-トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。)で表されるルテニウムホスフィン錯体(Lは、ラセミ体である)に、次の一般式(4)【化1】(式中、R1は、炭素数1乃至4の低級アルキル基であり;R2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり;R3は、水素原子、メチル基、メトキシ基、又は塩素原子であり;R4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフルオロメチル基であり;或いは、R3とR4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。)で表される光学活性なキラルなジアミンを1/2等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化した後、次の一般式(5)【化2】(式中、R5,R6,R7,R8,R9,R10,R11及びR12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ-ル基、ウレタン基、スルホニル基等であり;R7,R8,R9及びR10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり;或いはR7又はR8とR9又はR10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。)で表される光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、次の一般式(1)【化3】(式中、R5,R6,R7,R8,R9,R10,R11,R12,L、及びXは、前記と同義であり;*は、光学活性を意味する。)で表される光学活性ルテニウムホスフィン錯体(L*は、光学活性体である)の製造方法。
IPC (11件):
C07F 9/50 ,  B01J 31/24 ,  C07B 53/00 ,  C07C 29/145 ,  C07C 33/18 ,  C07C 33/22 ,  C07C209/88 ,  C07C211/57 ,  C07B 61/00 300 ,  C07F 15/00 ,  C07M 7:00
FI (11件):
C07F 9/50 ,  B01J 31/24 Z ,  C07B 53/00 B ,  C07C 29/145 ,  C07C 33/18 ,  C07C 33/22 ,  C07C209/88 ,  C07C211/57 ,  C07B 61/00 300 ,  C07F 15/00 A ,  C07M 7:00
Fターム (46件):
4G069AA04 ,  4G069AA08 ,  4G069BA27A ,  4G069BA27B ,  4G069BA27C ,  4G069BC70A ,  4G069BC70B ,  4G069BC70C ,  4G069BE15C ,  4G069BE26A ,  4G069BE26B ,  4G069BE26C ,  4G069CB22 ,  4G069CB57 ,  4G069FA08 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB84 ,  4H006AC41 ,  4H006AC81 ,  4H006AD17 ,  4H006BA02 ,  4H006BA23 ,  4H006BA29 ,  4H006BA37 ,  4H006BA48 ,  4H006BB11 ,  4H006BB12 ,  4H006BB14 ,  4H006BB15 ,  4H006BB20 ,  4H006BB21 ,  4H006BB22 ,  4H006BB25 ,  4H006BB61 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BC19 ,  4H006BC32 ,  4H006FC52 ,  4H006FC54 ,  4H006FE11 ,  4H039CA60 ,  4H039CB20 ,  4H050WB14 ,  4H050WB16
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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