特許

J-GLOBAL ID：200903063614497529

スパッタリング装置および薄膜形成方法

発明者： 寺田 順司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221016
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049431
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング条件の時間的変動による影響を受けにくく、薄膜の膜厚をより高精度に均一化させることができるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 スパッタリング装置1は、真空チャンバー2内に、表面に薄膜が形成される基板7を保持する基板取り付けホルダー6と、基板取り付けホルダー6に対向する位置に設置されたターゲット3と、基板取り付けホルダー6とターゲット3との間に配置された膜厚補正板9とを有している。膜厚補正板9は、厚みが0.3mmから1mmに形成され、基板7の表面からターゲット3側に7mmから13mmの距離をおいた位置に配置されている。

請求項（抜粋）：

表面に薄膜が形成される基板を保持する基板保持手段と、該基板保持手段に対向する位置に設置されたターゲットと、前記基板保持手段と前記ターゲットとの間に配置され前記薄膜の膜厚を均一にするための膜厚補正板とを有するスパッタリング装置において、前記膜厚補正板の厚みが0.3mmから1mmであることを特徴とするスパッタリング装置。

FI (2件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/34 J

Fターム (10件)：

4K029AA06 ,  4K029BA46 ,  4K029CA05 ,  4K029DA02 ,  4K029DA08 ,  4K029DA12 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029JA02