特許
J-GLOBAL ID：200903063615350335
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190145
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 p型ドーパントの他の層への拡散を抑制できるとともに、再現性良く、設計通りの所望の半導体装置を得ること。【解決手段】 (EtCp)2 Mgをp型ドーピング原料として用いて、p-(Alx Ga1-x )y In1-y P第1クラッド層5aをアンドープ活性層4上に結晶成長させるようにした。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、p型ドーピング原料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを用いて、p型(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y</SB>P(0≦x<1,0<y<1)からなる層を結晶成長させる工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
