放射線撮像装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-376594
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186032
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】製造プロセスを簡略化し、高歩留まりで安価に製造する。【解決手段】放射線撮像装置は、画素エリア10を有する放射線撮像用基板と、放射線を波長変換する波長変換体とを有する。画素エリア10は、絶縁基板1上に、マトリクス状に配設された複数個の容量素子C11〜C33と、放射線を電荷に変換する光電変換層となる半導体層、ゲート電極、及びソース・ドレイン電極を有し且つ容量素子C11〜C33に接続されたスイッチ及び光電変換素子としてのTFT(T11〜T33)と、容量素子C11〜33にバイアスを印加するバイアス配線(Vs線)と、TFT(T11〜T33)に駆動信号を供給するゲート配線Vg1〜3と、TFT(T11〜T33)の出力を読み出す信号配線Sig1〜3とから成る。この構成で、TFT(T11〜T33)に入射する放射線量に応じた電荷を容量素子C11〜T33に蓄積し、蓄積電荷を出力する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射線を光に変換する波長変換体と、基板上に、複数の画素が2次元状に配設された画素部と、複数の前記画素と接続し該画素にバイアスを印加する複数のバイアス配線と、複数の前記画素と接続し前記画素を駆動する複数の駆動配線と、複数の前記画素と接続し前記画素で生成された電荷を読み出す信号配線と、を有する光電変換基板と、を有する放射線撮像装置において、前記画素は、前記バイアス配線に接続された容量素子と、該容量素子、前記駆動配線、及び前記信号配線に接続された光電変換素子と、からなり、前記光電変換素子は、前記駆動配線に接続されるゲート電極と、絶縁層と、前記光を電荷に変換する半導体層と、一方が前記容量素子に接続され、他方が前記信号配線に接続されるソース・ドレイン電極と、を有し、前記信号配線と接続し、少なくとも2つ以上の基準電位を有する電源部を有することを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (6件)：

H01L 27/14 , G01T 1/20 , H04N 5/32 , H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/09

FI (8件)：

H01L27/14 K , G01T1/20 E , G01T1/20 F , G01T1/20 G , H04N5/32 , H04N5/335 E , H01L27/14 C , H01L31/00 A

Fターム (39件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088GG10 , 2G088GG17 , 2G088JJ05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA11 , 4M118CA15 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118DD09 , 4M118DD12 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 5C024AX12 , 5C024AX16 , 5C024CY47 , 5C024GX01 , 5C024GY31 , 5C024HX35 , 5C024HX46 , 5F088AA09 , 5F088AB05 , 5F088BA18 , 5F088BB07 , 5F088DA03 , 5F088EA04 , 5F088EA06 , 5F088KA03 , 5F088KA08 , 5F088KA10 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

特表平05-503770号公報
光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-313392 出願人：キヤノン株式会社

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