特許

J-GLOBAL ID：200903063618427932

遠紫外軟X線投影リソグラフィー法システムおよびリソグラフィーエレメント

発明者： デイヴィス,クロード エル ジュニア ,  ハーディナ,ケネス イー
出願人/特許権者： コーニング インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512586
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505876
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】集積回路を作成しかつ極めて小さい形状寸法を有するパターンを形成するための投影リソグラフィー法は、遠紫外軟X線源(38)から遠紫外軟X線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステム(36)と、照射ステージから発生した遠紫外軟X線λによって照射されるマスクステージ(22)とを含み、マスクステージ(22)は、遠紫外軟X線λによって照射された場合に投影されるマスクパターンを含む。投影サブシステムは、反射多層被膜で覆われたTiをドープされた高純度SiO2 ガラスの欠陥のないウエーハ表面(32)と、印刷媒体を付されたたウエーハとを含む。

請求項（抜粋）：

100nm未満の形状寸法を有する印刷配線態様の集積回路を製造するための投影リソグラフィー法であって、 遠紫外軟X線源を備えて、遠紫外軟X線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、 前記遠紫外軟X線λによって照射された場合に投影されるマスクリソグラフィーパターンを形成するための、前記照射サブシステムによって発生せしめられた前記遠紫外軟X線λによって照射されるマスクステージおよびマスクを提供し、 投影サブシステムを提供し、 ウエーハステージおよび遠紫外軟X線λに感応するウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハを提供し、 前記投影サブシステムを用いて、前記マスクから投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ表面に投影する各工程を含み、 ここで、前記照射サブシステムおよび前記投影サブシステムが複数の反射リソグラフィーエレメントを備え、該リソグラフィーエレメントが、前記放射線および前記リソグラフィーパターンを操作するために、欠陥のないガラス表面を備えたTiをドープされた高純度SiO2 ガラス基板を覆う複数の反射多層被膜を備えていることを特徴とする前記方法。

IPC (12件)：

H01L 21/027 ,  C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  C03C 17/36 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/10 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G21K 1/06 ,  G21K 5/02

FI (15件)：

C03B 8/04 D ,  C03B 20/00 F ,  C03C 17/36 ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/08 C ,  G02B 5/10 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  G21K 1/06 C ,  G21K 1/06 D ,  G21K 5/02 X ,  H01L 21/30 531 A ,  H01L 21/30 517

Fターム (41件)：

2H042DA01 ,  2H042DA12 ,  2H042DB02 ,  2H042DB14 ,  2H042DC08 ,  2H042DD05 ,  2H042DE07 ,  2H048FA01 ,  2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA09 ,  2H048FA18 ,  2H048FA24 ,  2H048GA01 ,  2H048GA03 ,  2H048GA09 ,  2H048GA11 ,  2H048GA13 ,  2H048GA34 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61 ,  2H095BA10 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  4G014AH11 ,  4G059AA08 ,  4G059AB11 ,  4G059AC05 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA14 ,  5F046BA03 ,  5F046CA08 ,  5F046CB02 ,  5F046CB17 ,  5F046DA26 ,  5F046GA03 ,  5F046GA14 ,  5F046GC03 ,  5F046GC04 ,  5F046GD10