特許

J-GLOBAL ID：200903063619966853

磁気抵抗効果膜の製造方法

発明者： 矢追 俊彦 ,  鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039976
公開番号（公開出願番号）：特開平7-252650
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 実用に十分な感度を持つ巨大磁気抵抗効果を持つとともに、外部磁界印加方向に対する巨大磁気抵抗効果の異方性が軽減された磁気抵抗効果膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1を、導体ターゲット上,磁性体ターゲット上を交互に通過するように回転させながら、スパッタリング法によって基板1上に導体層2,磁性体層3を交互に積層する磁気抵抗効果膜の製造方法において、層数ni の導体層2,磁性体層3を積層して単位積層膜11を成膜した後、基板1の回転方向に対する向きを変え、さらに、層数nj の導体層2,磁性体層3を積層して単位積層膜12を成膜するといった成膜サイクルを繰り返す。なお、基板1の回転方向に対する向きを変えるときは、例えば、基板をΔθ(但し、0°<Δθ≦90°である)だけ自転させて行う。

請求項（抜粋）：

基板を、導体ターゲット上,磁性体ターゲット上を交互に通過するように回転させながら、スパッタリング法によって基板上に導体層,磁性体層を交互に積層するに際して、層数ni の導体層,磁性体層を積層した後、基板の回転方向に対する向きを変え、さらに、層数nj の導体層,磁性体層を積層するといった成膜サイクルを繰り返すことを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12