特許
J-GLOBAL ID：200903063621833682
薄膜共振マイクロビーム型絶対圧センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-530288
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507801
出願日： 1997年12月29日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】ダイヤフラムの一体部分よりなるポリシリコンビームを有する結果、ダイヤフラムの外面に印加された圧力の直接的結果であるビームの周波数が得られるミクロ機械式センサ。この共振マイクロビームセンサの製造はウェーハ裏面処理が不要で、ウェーハ厚さと無関係なプロセス及びレイアウトを使用するため、高い歩留まりと頑強性が達成される。ダイヤフラムと共振ビームはどちらもポリシリコンで形成される。センサは共振ビームを1つ以上具備することができる。センサビームは電気的、あるいは光学的機構のいずれによって駆動、及びその振動の検出を行うことも可能である。応力遮断のため、センサは片持ち支持状の単結晶シリコンパドル上に載置することができる。センサは、光学デバイスまたは電気デバイスとの無干渉インタフェースを講じるためにその分離ダイ上に落とし込んで配置することも可能である。
請求項（抜粋）：
薄膜共振マイクロビームセンサの製造方法において: 基板上に第1の層を形成して第1のキャビティを形成するステップと; 第1の層上に第2の層を形成してチャネルを形成するステップと; 第2の層上に第3の層を形成するステップと; 第3の層のいくつかの部分を取り除いて共振マイクロビームを形成するステップと; 第3の層上に第4の層を形成して第2のキャビティを形成するステップと; 第4の層上に第5の層を形成するステップと; 第2の層を取り除いて第1及び第4の層へのチャネルを形成するステップと; チャネルを介して第1及び第4の層を取り除き、その結果として、第1及び第2のキャビティを共振マイクロビームに近接させるステップと; 第1及び第2のキャビティから空気を除去するステップと; 第1及び第2のキャビティに空気が入らないように、各キャビティを封止するステップと; 第2の層を形成する前に光学的駆動・検出手段を形成するステップと;を具備し、かつ: 基板がシリコン基板よりなり; 第3及び第5の層がポリシリコンよりなり; 第3及び第5の層をこれらの層の接触部でアニールし; 共振マイクロビームが、第1及び第2のキャビティ中に伸入する方向に振動することができ; 共振マイクロビームは、第5の層への圧力の印加時に第5の層の印加圧力の大きさの測度を与えるよう変化する共振周波数を持つ;ことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01L 9/00 C
, H01L 29/84 Z
