パワーMOSFET

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016677
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213604
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】従来技術の有していた課題を解決して、オン抵抗を低減することの可能な構成の LDMOS を提供すること。【構成】上記目的は、ドレインセルの開口部の周囲を取り囲むようにソースセルを形成させることによってチャネルの集積度を向上させ、かつ、ゲート電極の連結領域を有し、低抵抗N+型埋め込み層及び高濃度N+型ドレイン取り出し領域を具備させることによって上記のような問題点を解決することができる。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域となる第1導電型の半導体基板の第1主面側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極に設けられたソース開口部からの二重拡散によって形成された第2導電型のベース領域及び該ベース領域内に形成された高濃度の第1導電型のソース領域と、同じく上記ゲート電極に設けられたドレイン開口部から上記半導体基板に電気的に導通をとるために形成された高濃度第1導電型のドレイン領域とを備え、上記ゲート、ソース、ドレインの各電極がすべて上記第1主面側に設けられたいわゆる横型のパワー MOSFET において、上記ソース電極と上記ドレイン電極とが上下に重なった部分を有する2層配線構造を有し、上記半導体基板の第1主面とは反対側の第2に形成された低抵抗領域と、該低抵抗領域と上記ドレイン電極とを低抵抗で導通させる導通領域とを具備しており、上記ドレイン開口部と上記ソース開口部とが所定のピッチで規則的に配置されており、ソース開口部がドレイン開口部の枠に相似な形に沿ってドレイン開口部の周囲を取り囲むように形成され、上記ドレイン開口部と該ドレイン開口部の周囲を囲むソース開口部との間のゲート電極と、他のドレイン開口部と該ドレイン開口部の周囲を囲むソース開口部との間のゲート電極とを接続するためのゲート電極連結領域を有することを特徴とするパワー MOSFET 。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 W

引用特許：

審査官引用 (21件)

特開平4-171764
特開平4-171764
特開平4-171764

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