特許
J-GLOBAL ID：200903063630535597
光起電力素子及びその製造方法、並びに発電システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204517
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアー再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びその製造方法、並びに発電システムを提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子において、前記i型層はシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より前記第2のp型層またはp型層の方向に片寄っていること特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子、あるいは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるp型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のn型層、非単結晶半導体材料からなるp型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、非単結晶半導体材料からなるi型層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のn型層が順次積層された光起電力素子において、前記i型層はシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より前記第2のp型層またはp型層の方向に片寄っていること特徴とする光起電力素子。
引用特許：
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