特許

J-GLOBAL ID：200903063635227920

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 山田 元量 ,  中村 修二 ,  田中 政信
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291368
出願日： 1993年04月03日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイアのC面からのオフ基板に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるか、あるいは最上層の窒化ガリウム系化合物半導体をエッチング、または研磨することにより窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭51-023868
  
• 特開平3-163883
  
• 特開平4-354382
  
• 特開平4-042582