特許
J-GLOBAL ID：200903063638536533
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158490
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022348
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上に金属薄膜を形成する為の枚葉式スパッタリング装置における金属薄膜の面内膜厚均一性向上。【構成】本発明のスパッタリング装置は基板9を保持する基板ホルダー3を中心点から外周方向に偏心させ、その基板ホルダー3を成膜時に回転させることによりスパッタ粒子の至達量の均一化を図り、基板3上に付着する金属薄膜の面内膜厚分布向上が可能となる。又回転と同時に基板ホルダー3の傾きも変化させ半導体基板9の段差部及び孔内側壁部に至達するスパッタ粒子数を増大させることで金属膜の良好なステップカバレッジが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属薄膜を形成する半導体製造装置において金属薄膜形成機構がターゲット,半導体基板ホルダー,電源の3機構を主として構成され、その中で半導体基板ホルダーが偏心しておりかつ回転機構を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/285
, H01L 21/203
