特許
J-GLOBAL ID：200903063638722434
スイッチング電源と半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005000329
公開番号（公開出願番号）：WO2005-074110
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 電源電圧VDDが低い場合においても、高電位側スイッチ素子M1の十分な駆動電圧を得ることを実現したスイッチング電源と半導体集積回路を提供する。【解決手段】 PWM信号に従ってスイッチ動作を行うスイッチ素子を通してインダクタに流す電流を制御し、上記インダクタに直列形態に設けられたキャパシタにより出力電圧を形成するスイッチング電源において、上記スイッチ素子の出力ノードと所定電圧端子間にブートストラップ容量とMOSFETとからなる昇圧回路を設け、その昇圧電圧を上記スイッチ素子の駆動回路の動作電圧とし、上記MOSFETがオフ状態にされるとき、一方のソース,ドレイン領域と基板ゲート間の接合ダイオードが上記ブートストラップ容量により形成された昇圧電圧に対して逆方向になるように他方のソース,ドレイン領域と上記基板ゲートとを接続する。
請求項（抜粋）：
インダクタと、
上記インダクタに直列形態に設けられて出力電圧を形成するキャパシタと、
入力電圧から上記インダクタに流す電流を制御するスイッチ素子と、
上記スイッチ素子がオフ状態のときに上記インダクタの上記出力電圧を形成している端子とは別の他方の端子を所定電位にクランプする素子と、
上記スイッチ素子を駆動する駆動回路と、
上記スイッチ素子の出力ノードに一端が接続されたブートストラップ容量と、かかるブートストラップ容量の他端と外部電源端子との間にソース,ドレイン経路が接続されたMOSFETとからなり、昇圧電圧を上記駆動回路の動作電圧とする昇圧回路と、
上記素子が導通状態のときにMOSFETをオン状態にさせ、上記素子が非導通状態のときにMOSFETをオフ状態にさせるスイッチ制御信号を形成するレベルシフト回路と、
PWM信号を形成して上記駆動回路を通して上記スイッチ素子の動作を制御するPWM制御回路とを備え、
上記MOSFETは、上記PWM信号によってオフ状態にされるときに一方のソース,ドレイン領域と基板ゲート間の接合ダイオードが上記ブートストラップ容量により形成された昇圧電圧に対して逆方向になるように他方のソース,ドレイン領域と上記基板ゲートとが接続されてなることを特徴とするスイッチング電源。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5H730AA20
, 5H730AS01
, 5H730BB14
, 5H730DD04
, 5H730DD16
, 5H730EE59
, 5H730FD03
, 5H730XX02
, 5H730XX13
, 5H730XX22
, 5H730XX33
