特許

J-GLOBAL ID：200903063639461901

電界効果トランジスタ

発明者： 臼井 正則 ,  加藤 貴敏 ,  加納 浩之 ,  柴田 正
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  日本電装株式会社
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283237
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 オン抵抗の低減とゲート耐圧の向上とを両立させ、電力損失が少なく、効率のよい電界効果トランジスタを提供する。【構成】 電界効果トランジスタ100は、半絶縁性の基板10、この基板10上に形成されたGaAs化合物半導体の積層体からなる半導体層、この半導体層に対してショットキー接触されるゲート電極20、前記半導体層に対してオーミック接触されるソース電極22およびドレイン電極24を含む。前記半導体層は、バッファ層12、活性層14およびコンタクト層16を含み、前記コンタクト層16の不純物濃度は、前記活性層14との界面においては該活性層14の不純物濃度とほぼ等しく、かつ該界面から表面に向かって連続的に増大する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性の基板、この基板上に形成されたIII-V族化合物半導体の積層体からなる半導体層、この半導体層に対してショットキー接触されるゲート電極、前記半導体層に対してオーミック接触されるソース電極およびドレイン電極を含み、前記半導体層は、少なくとも活性層およびコンタクト層を含み、前記コンタクト層の不純物濃度は、前記活性層との界面においては該活性層の不純物濃度とほぼ等しく、かつ該界面から表面に向かって連続的に増大することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-316482
  
• 特開平2-283038
  
• 特開昭63-316482
  
• 特開平2-283038