特許

J-GLOBAL ID：200903063639488494

面発光素子およびその製造方法

発明者： 梶田 幹浩 ,  沼居 貴陽 ,  杉本 満則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169095
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030205
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 面発光素子の二次元高密度集積化のために素子抵抗の低減による熱特性の向上および単一横モードの安定化を図った面発光素子の製造方法及び素子を提供する。【構成】 ウェハ成長後、活性層4を含む中間層の一部を除去し、その除去部に高抵抗層19を、その上に高濃度ドープ半導体層18を再成長し、埋め込み構造とする。【効果】 コンタクト抵抗の低減による温度特性の向上、埋め込み構造による単一横モードの安定化を実現した面発光素子の作製が可能になる。これに伴い素子高密度集積時の素子特性および集積度の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その半導体基板上に形成された第一の多層反射膜と、この第一の多層反射膜の上に形成された活性層を含む中間層と、その中間層の上に形成された第二の多層反射膜と、第二の多層反射膜の少なくとも一部が除去された開口部と、この開口部で囲まれる発光部となる半導体柱と、前記開口部に形成された高濃度不純物を含むコンタクト層と、前記開口部に少なくとも活性層に到達するようにプロトン注入された高抵抗層とを具備することを特徴とする面発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-275485
  
• 特開昭63-205979
  
• 特開昭61-271886