特許

J-GLOBAL ID：200903063648923489

プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小川 敏明 ,  宮武 浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326456
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 微細パターン底部でのノッチング発生を防止する。【構成】 反応室1内にX線源9を設け、ステージ3aによりウエハ2を回転させた状態でX線を照射しつつエッチングを行い、パターン側壁部から光電効果により放出された電子によりパターンに入射するイオンを中和する。

請求項（抜粋）：

反応室内において発生したプラズマガス中のイオンを用いてウエハをエッチングするプラズマ処理装置において、上記反応室内に、所定のエネルギーを有する光を照射する光源を設け、該光源から出射された光を試料台表面に配置されたウエハに照射しつつエッチングを行うようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。