特許

J-GLOBAL ID：200903063653408878

フォトダイオード

発明者： 柳生 栄治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119371
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308367
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 感度を向上させることができる信頼性の高いフォトダイオード、及び感度を低下させる事なく高速化が可能な信頼性の高いフォトダイオードを提供する。【解決手段】 基板上に光を吸収してキャリアを発生する光吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体成長層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、受光領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基板除去部において露出された半導体成長層に受光領域を透過した光を反射させる反射面又は反射層を備えたフォトダイオードにおいて、基板除去部に補填材を形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に光を吸収してキャリアを発生する光吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体成長層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、上記受光領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基板除去部において露出された上記半導体成長層に上記受光領域を透過した光を反射させる反射面又は反射層を備えたフォトダイオードにおいて、上記基板除去部に補填材を形成したことを特徴とするフォトダイオード。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B

Fターム (14件)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049QA12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ16