ポリシリコン・シードを有するトランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017709
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】サブ・リソグラフィ・チャネル長を含む極めて微細なサイズときわめて高い集積度でSOIウエハまたはチップ上に周知の成熟したプロセスで製造できる電界効果トランジスタ設計を提供すること。【解決手段】短チャネル効果を、場所および形状の精度を改善して配置できる急峻な勾配の不純物濃度を用いて効果的に抑制でき、一方で、トランジスタの導通チャネルに隣接したポリシリコン・シードに不純物を注入し、ポリシリコン・シードから導通チャネルへ不純物を拡散することによりプロセスの許容度を緩和する。ポリシリコン・シードは、その中の電流密度およびパス長を最小に抑え他の機械的利点も与える構成を備えたポリシリコン・ソース/ドレイン・コンタクトをポリシリコン・シードからエピタキシャル成長することも可能にする。

請求項（抜粋）：

トランジスタの導通チャネルに接触したポリシリコン・シードを形成するステップと、前記ポリシリコン・シードからポリシリコン・ソース/ドレイン接点領域をエピタキシャル成長させるステップとを含むトランジスタを製造する方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 29/41 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 29/78 616 V , H01L 29/44 S , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 T

Fターム (75件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD21 , 4M104DD26 , 4M104DD31 , 4M104DD50 , 4M104DD66 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 5F110AA03 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110EE32 , 5F110EE50 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG36 , 5F110GG37 , 5F110GG52 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HM02 , 5F140AA39 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BF04 , 5F140BG22 , 5F140BH06 , 5F140BH07 , 5F140BH12 , 5F140BH13 , 5F140BJ04 , 5F140BJ11 , 5F140BJ18 , 5F140BJ25 , 5F140BJ29 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140BK23 , 5F140BK26 , 5F140BK28 , 5F140BK32 , 5F140BK34

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-228041
特開平3-077378
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-197992 出願人：日本電気株式会社

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