特許

J-GLOBAL ID：200903063657456729

配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法

発明者： 姜 聖 哲 ,  朴 弘 植 ,  朴 俸 沃 ,  朴 愛 娜 ,  趙 弘 濟
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-029921
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356616
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】 製造工程を単純化し、且つ製造コストを最少化できる配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板の上部にAl-Nd alloyの下部膜とMoW alloyの上部膜を順次に積層した後、50-60%範囲のリン酸、6-10%範囲の硝酸、15-25%範囲の酢酸及び2-5%の安定剤とその他に超純水を含むエッチング液でパターニングしてゲート電極を含むゲート線を形成する。次に、ゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成した後、MoW alloyの導電膜を積層し、ゲート線用エッチング液と同一なエッチング液でパターニングしてソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極を露出する接触孔を形成した後、保護膜の上部にIZOを積層し、ゲート線及びデータ線をエッチングした液でパターニングしてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極を有するゲート線を形成する段階と、前記基板上にゲート絶縁膜を積層する段階と、前記ゲート絶縁膜上部に半導体層を形成する段階と、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する段階と、前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階とを含み、前記ゲート線、前記データ線、前記ドレーン電極及び前記画素電極に用いられるエッチング液が同一である薄膜トランジスタ表示板の製造方法。

IPC (7件)：

H01L21/308 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (10件)：

H01L21/308 F ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 N ,  H01L21/88 R ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J

Fターム (88件)：

2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH22 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK22 ,  5F033LL02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM19 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX33 ,  5F043AA27 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置用薄膜トランジスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-326774   出願人：三星電子株式会社
• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-134189   出願人：株式会社日立製作所
• 透明導電膜を含む積層膜のエッチング液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-320278   出願人：関東化学株式会社