特許
J-GLOBAL ID:200903063657468603

半導体ウェーハの厚さ測定方法および厚さ測定装置並びに半導体ウェーハの平坦度測定方法および平坦度測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木村 高久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-310562
公開番号(公開出願番号):特開平11-251387
出願日: 1994年01月31日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】ウェーハの厚さ、平坦度の良否を正確に判定するようにする。【解決手段】被測定ウェーハ3の表面に、被測定ウェーハ3を構成する材料のバンドギャップ以上のエネルギーのハロゲンランプ4の光を照射しつつ、プローブ1,2を用いて被測定ウェーハ3の厚さを測定する。
請求項(抜粋):
静電容量式の厚さ測定器を用いて半導体ウェーハの厚さを測定する半導体ウェーハの厚さ測定方法において、前記半導体ウェーハの表面に、前記半導体ウェーハを構成する材料のバンドギャップ以上のエネルギーの光を照射しつつ、前記静電容量式の厚さ測定器を用いて前記半導体ウェーハの厚さを測定することを特徴とする半導体ウェーハの厚さ測定方法。
IPC (3件):
H01L 21/66 ,  G01B 7/06 ,  G01R 1/06
FI (3件):
H01L 21/66 L ,  G01R 1/06 F ,  G01B 7/08

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