特許

J-GLOBAL ID：200903063665473780

非単結晶シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 鈴木 孝之
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229212
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053312
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】銀系裏面電極を有する非結晶シリコン系薄膜光電変換装置を製造するに当たり、熱処理による銀系裏面電極の劣化を防止して信頼性を向上させ得る光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】銀系電極膜を含む裏面電極層(123)を備える非単結晶シリコン系薄膜光電変換構造を提供した後、その光電変換構造を熱処理に供するに際し、銀系電極膜を含む裏面電極層(123)をガスバリヤー性カバーフィルム(21)で覆う。

請求項（抜粋）：

透明基板上に透明前面電極層を、該透明前面電極層の裏面側に非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットを、該光電変換ユニットの裏面側に銀系電極膜を含む裏面電極層をそれぞれ形成して非単結晶シリコン系薄膜光電変換構造を提供する工程、および該光電変換構造を熱処理に供する工程を備え、該熱処理工程中に該銀系裏面電極層をガスバリヤー性カバーフィルムで覆うことを特徴とする非単結晶シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 M

Fターム (8件)：

5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18