特許

J-GLOBAL ID：200903063667532563

薄膜パターン形成法

発明者： 津島 宏 ,  住吉 岩夫 ,  横山 正明
出願人/特許権者： 日本ペイント株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-092695
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 低コストで、優れたパターン精度の薄膜パターンを形成する方法の提供。【構成】 a) 基材101上に設けられた式(式中R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素残基、脂環式炭化水素残基および芳香族炭化水素残基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であり、mおよびnは整数である。)で示される構造のポリシランからなるポリシラン層102を選択的に紫外線110露光して薄膜パターンの潜像を形成する工程と、b) 薄膜パターンの潜像が形成された該ポリシラン層102を、金属酸化物ゾルに浸漬した後に乾燥する工程を包含する薄膜パターンを形成する方法。

請求項（抜粋）：

a) 基材上に設けられた式【化1】(式中R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素残基、脂環式炭化水素残基および芳香族炭化水素残基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であり、mおよびnは整数である。)で示される構造のポリシランからなるポリシラン層を選択的に紫外線露光して薄膜パターンの潜像を形成する工程と、b) 薄膜パターンの潜像が形成された該ポリシラン層を、金属酸化物ゾルに浸漬した後に乾燥する工程を包含する薄膜パターンを形成する方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/36