特許
J-GLOBAL ID：200903063669161597

キャパシタを有する半導体装置の製造方法

発明者：
高井 一章

高井 一章 について

, 
能代 英之

能代 英之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249374
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151662
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゾルゲル法を用いてキャパシタ誘電体膜を形成する半導体装置の製造方法に関し、リーク電流が少ない半導体装置を作成することのできる製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に下部電極2を形成する工程と、有機誘電体原料を有機溶媒に溶解した液体状原料を下部電極上に塗布し、誘電体膜3を形成する工程と、前記誘電体膜を揮発成分が蒸発する温度より高く、かつ誘電体が結晶化する温度より低い温度で仮焼成する工程と、前記誘電体膜上に上部電極4を形成する工程と、前記上部電極を形成した基板を前記誘電体が結晶化する温度以上の温度で本焼成する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。
請求項（抜粋）：
基板の表面および裏面上にTiまたはTaの密着膜を形成する工程と、基板表面の密着膜上にPt下部電極膜を形成する工程と、前記下部電極膜上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (6件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 S
Fターム (24件)：
5F033HH07 ,  5F033HH21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033VV10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (2件)

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