特許

J-GLOBAL ID：200903063676646776

フッ化物薄膜の製造方法およびこれによって製造されたフッ化物薄膜

発明者： 亀山 誠 ,  横山 晃彦 ,  藤村 秀彦 ,  沢村 光治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307224
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138744
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【目的】 密着性と充填率が高くフッ素欠落のおそれのないフッ化物薄膜を製造する。【構成】 真空室1を所定の高真空に排気するとともに水の分圧を5×10-6Torr以下に制御し、クラスタービーム蒸発源3〜6のうちの少くとも1つからフッ化物の蒸発粒子を発生させ、クラスター化したうえでイオン化することなく電気的に中性状態のままで基板Wに被着させる。成膜されたフッ化物薄膜は非晶質であり、密着性と充填率が高く、しかもフッ素欠落のおそれもない。

請求項（抜粋）：

フッ化物の蒸発源から発生された蒸発粒子をクラスター化する工程と、クラスター化された蒸発粒子をイオン化することなく真空雰囲気中の基板に被着させる工程を有するフッ化物薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/32 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/30 ,  G02B 1/11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭52-010869
  
• 特開平3-255401
  
• 特開平4-153602
  
• 特開昭62-123401