特許
J-GLOBAL ID：200903063680099461
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026986
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223678
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】半導体基板に対し空隙をもって対向配置された接合部材を有する半導体装置を、低コストかつ高歩留りで製造する。【解決手段】キャップ用ウェハ30とセンサウェハ32とを接合し、キャップ用ウェハ30に対し縦横のダイシングラインの内の一方のダイシングラインでカットし、キャップ用ウェハ30に粘着シート35を貼り付け、キャップ用ウェハ30に対しダイシングラインの内の未カットラインで粘着シート35ごとカットし、粘着シート35を剥がしてキャップ用ウェハ30からウェハ30での不要部を分離し、センサウェハ32を各チップ毎にダイシングカットする。
請求項（抜粋）：
素子が形成された半導体基板に対し接合部材が空隙をもって対向配置された半導体装置の製造方法であって、前記接合部材となる接合部材用板材と前記半導体基板となる素子側半導体ウェハとを接合する第1工程と、接合部材用板材に対し縦横のダイシングラインの内の一方のダイシングラインでカットする第2工程と、接合部材用板材に粘着シートを貼り付ける第3工程と、接合部材用板材に対しダイシングラインの内の未カットラインで前記粘着シートごとカットする第4工程と、前記粘着シートを剥がして接合部材用板材から当該板材での不要部を分離する第5工程と、素子側半導体ウェハを各チップ毎にダイシングカットする第6工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 M
