特許

J-GLOBAL ID：200903063683390248

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山本 直樹 ,  吉田 誠 ,  松岡 秀行 ,  齊藤 政良
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289885
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】高融点金属膜/バリア金属膜/多結晶シリコン膜なる3層構造の電極や配線において、窒化チタン膜を薄くした際の高融点金属膜抵抗上昇を防止する。【解決手段】窒化チタン膜5からなるバリア膜とタングステンなど高融点金属膜6の間に、極めて薄い酸素吸着層7あるいはバリア構成材料の酸化物層もしくはシリコンの酸化物層からなる第2のバリア膜を介在させる。【効果】窒化チタン膜6を薄くしても、上層の高融点金属膜6の抵抗が上昇しないため、ゲート電極9を薄くすることができ、低抵抗の微細ゲート電極が容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

下地上に順次積層して形成された所定の形状を有する第1のバリア膜、当該第1のバリア膜とは異なる材料からなる第2のバリア膜および高融点金属膜からなる積層膜を有し、上記第1のバリア膜は上記下地と上記高融点金属膜の間の反応を防止するための膜であり、上記第2のバリア膜は上記高融点金属膜を形成する際における上記第1のバリア膜の影響を防止するための膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 29/78 301 G