特許

J-GLOBAL ID：200903063685608844

ヒドラジン誘導体組成物

発明者： 中林 亮 ,  高野橋 寛朗
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021330
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：

【要約】【課題】 低温硬化性と貯蔵安定性を兼ね備え、耐水性、耐薬品性、耐熱性等に優れた皮膜を得ることができる被覆組成物、及び、それに用いるヒドラジン誘導体組成物を提供する。【解決手段】 ヒドラジド残基を1分子中に2個以上有するポリヒドラジド化合物と、1分子中に-NCO基を3個以上有するポリイソシアネート化合物とヒドラジン誘導体とを反応させて得られるセミカルバジド誘導体とを含有するヒドラジン誘導体組成物、及び、該ヒドラジン誘導体組成物とポリカルボニル化合物及び/又はポリエポキシ化合物を含有する被覆組成物。

請求項（抜粋）：

ヒドラジド基を1分子中に2個以上有するポリヒドラジド化合物と、下記式(1)で表されるセミカルバジド誘導体とを含有するヒドラジン誘導体組成物。【化1】(式中、R1 は、直鎖状または分岐状の炭素数2〜20のアルキレンジイソシアネート、置換基を有しても有さなくても良い炭素数5〜25のシクロアルキレンジイソシアネート、置換基を有しても有さなくても良い炭素数6〜20のアリーレンジイソシアネート、及び置換基を有しても有さなくても良い炭素数8〜20のアラルキレンジイソシアネートからなる群から選ばれる少なくとも1種のジイソシアネートの3量体〜20量体オリゴマーに由来する、末端イソシアネート基を有さないポリイソシアネート残基、もしくはR1 は炭素数1〜8のイソシアナトアルキル基で置換されている炭素数2〜20のアルキレンジイソシアネートに由来する、末端イソシアネート基を有さないトリイソシアネート残基を表す。R2 は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。R3 は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数5〜20のシクロアルキレン基、もしくは置換基を有しても有さなくても良い炭素数6〜10のアリーレン基を表す。nは、0又は1を表す。l及びmは、各々0又は正の整数を表す。ただし、20≧(l+m)≧3である。)

IPC (5件)：

C08G 18/02 ,  C08L 75/00 ,  C09D161/20 ,  C09D163/00 ,  C07C281/06

FI (5件)：

C08G 18/02 Z ,  C08L 75/00 ,  C09D161/20 ,  C09D163/00 ,  C07C281/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-155956
  
• 水系セミカルバジド化合物の製造方法及びそれを用いた被覆組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-291526   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平2-155956