特許

J-GLOBAL ID：200903063691110483

化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者： 大家 彰 ,  百瀬 正之 ,  後藤 順 ,  右田 雅人 ,  山本 立春
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045538
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】p型伝導層のキャリア濃度を従来以上に高めることのできる化合物半導体の製造方法及びそれを実現する製造装置を得ること。【構成】例えばII-VI族化合物半導体レ-ザを製造するに際して、MBE装置では、p型伝導層を形成する第1の成長室2と、n型伝導層を形成する第2の成長室3と、活性層を形成する第3の成長室4とを備え、これら各室が高真空に保持される共にゲートバルブ7、8、9を介して搬送室5で接続され、互いに独立した異なる成長室を構成し、各室をGaAs基板が順次移動することによって基板上に必要な化合物半導体薄膜を積層する。これによってp型伝導層におけるドナー性不純物によるキャリアの補償を防ぎ、p型クラッド層(さらにはp型ガイド層)のキャリア濃度を1×1018cm~3以上とすることができ、室温、低電圧で連続発振可能な青、緑色領域の半導体レ-ザが実現できる。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に、少なくとも第1導電形の半導体層と第2導電形の半導体層とを順次成膜して化合物半導体装置を製造するに際し、前記それぞれの導電形の半導体層を、導電形に対応した異なる複数の独立した成長室で成膜するようにして成る化合物半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18