特許

J-GLOBAL ID：200903063696050870

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： 瀧澤 俊幸 ,  清水 順 ,  上田 哲三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-351948
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235100
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】p型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはp型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体素子は、主面の面方位が(0001)面であるn型GaNからなるn型基板1の主面上に形成され、主面に対して垂直な側面を持つ複数の凸部を有するGaNからなる第1p型コンタクト層6と、該第1p型コンタクト層6における凸部の側面から選択的に成長したAlGaNPからなる第2p型コンタクト層7とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面を有する基板と、 前記基板の主面上に形成され、前記主面に対して垂直な側面を持つ1つ又は2つ以上の凸部を有する第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層における前記凸部の側面から選択的に成長してなる第2の窒化物半導体層とを備えていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (22件)：

5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F173AA08 ,  5F173AC70 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AP06 ,  5F173AP17 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP42 ,  5F173AR64

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-010057   出願人：ソニー株式会社